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电子元器件详细资料 » IC[21718] » IRF9910PBF
型号:IRF9910PBF类别:FET - 阵列制造商:International Rectifier
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C10A,12A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C13.4 毫欧 @ 10A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.55V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs11nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds900pF @ 10V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装管件

供应商

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